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碲化銦

中文名稱: 碲化銦

英文名稱：Indium telluride

別名： 碲化銦(III)，三碲化二銦

分子式: In2Te3

分子量: 612.44

CAS號： 1312-45-4

質(zhì)檢信息

檢驗項目          指標(biāo)   

含量,             ≥99.999%(高純試劑）

雜質(zhì)陽離子總量,％ ≤0.001

水溶解試驗 合格

PSA：            0.12000

LOGP：          -0.91740

化學(xué)特性

碲化銦又稱三碲化二銦是一種四方晶結(jié)構(gòu)化學(xué)物質(zhì)，黑色或藍灰色結(jié)晶物,周期表第m. Gr族元素化合物半導(dǎo)體，共價鍵結(jié)合，有離子鍵成分，密度5.8 g/cm3熔點667ºC。能與硝酸、鹵素反應(yīng)，能與濃硫酸或發(fā)煙硫酸反應(yīng)生成紅色溶液，空氣中穩(wěn)定，難溶于鹽酸，可溶于硝酸。真空中加熱易揮發(fā)，蒸氣穩(wěn)定不分解。具有強的各向異性和金屬導(dǎo)電性質(zhì)。由銦和碲直接反應(yīng)制取。10K時轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)體。

產(chǎn)品用途

碲化銦用作材料科學(xué)。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一種N型半導(dǎo)體化合物，可以應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)化、光電傳感器、光催化、電子器件等領(lǐng)域。高k電介質(zhì)可以有效的屏蔽二維場效應(yīng)晶體管的庫倫雜質(zhì)散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場效應(yīng)遷移率，AlO電介質(zhì)可以降低庫倫散射。硒化銦場效應(yīng)晶體管的電學(xué)穩(wěn)定性在實際應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用，而電學(xué)穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。

制備出的被六方晶氮化硼封裝在無水無氧環(huán)境中的少層InSe是高質(zhì)量光學(xué)和電子傳輸器件材料。在室溫和液氦溫度下的載流子遷移率分別超過10^3 cm^(2)V^(-1)s^(-1)和10^4 cm^(2)V^(-1)s^(-1)。而且，超薄InSe由于具有寬帶隙，可以允許晶體管很容易實現(xiàn)開/關(guān)，可被用于制作高速電子器件。由于半導(dǎo)體材料的光電功能（包括光吸收、發(fā)射和調(diào)制）取決于帶隙大小，光致發(fā)光光譜實驗表明其帶隙在從塊體狀I(lǐng)nSe到雙層InSe轉(zhuǎn)變時增加了0.5eV，超薄InSe在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用前景充滿光明。

生產(chǎn)方法

通過In-Te熔融體的X射線衍射研究指出有六種二元化合物：In4Te3，InTe，In3Te4，In2Te3，In3Te5和In2Te5。在密閉的真空管中，按正確比例熔化組成元素能制得每種化合物。

本發(fā)明屬于納米功能材料技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種二維碲化銦納米片及其制得的偏振光探測器,所述碲化銦納米片是將銦粉和碲粉混合后加熱至480～520℃并保溫,然后降溫至460～480℃并保溫,再冷卻至室溫,在不同溫度下反應(yīng)朝不同方向進行生長制得.該二維碲化銦納米片具有低面內(nèi)對稱性,由其制得的偏振光探測器依次包括重?fù)诫s硅,二氧化硅絕緣層和二維材料碲化銦納米片,在所述二維材料碲化銦納米片的兩側(cè)制作金屬電極.由于二維材料碲化銦納米片具有各向異性等特點,使得偏振光探測器可以探測多角度的線偏振光.

 

產(chǎn)品信息
[重量]	5g
[顏色]	黑色
危險性類別
[危險性類別]	非危險品