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 碲化鎵

中文名稱：碲化鎵

英文名稱：Gallium

別名:碲化鎵(II)

分子式: GaTe

 

分子量: 197.32

CAS號: 12024-14-5

質(zhì)檢信息

質(zhì)檢項目   指標值

含量，％   ≥99.99%

PSA：       0.00000

LOGP：   -0.42410

產(chǎn)品用途

碲化鎵用作半導體材料，在電子學和光電器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。加熱熔化按化學計量碲和鎵的混合物可制得GaTe。碲化鎵中陽離子空位對晶體管性能的影響機制，并且通過抑制這種作用，獲得了一種高性能的光電晶體管器件。GaTe是一個重要的III-VI族半導體層狀化合物材料，直接帶隙約1.7eV，在光電子器件、輻射探測器及太陽能電池領(lǐng)域極具應(yīng)用研究價值。然而由于其復(fù)雜的單斜晶體結(jié)構(gòu)及晶體的高度各向異性，使其在樣品制備及器件加工方面存在一定的困難，目前少有關(guān)于GaTe納米片的光電性能研究。

化學特性

碲化鎵一種二元化合物，由鎵和碲元素組成。它是一種半導體材料，為黑色固體，不溶于水不燃，有毒，碲化鎵具有層狀結(jié)構(gòu)，每個鎵原子與六個碲原子形成八面體配位，而每個碲原子與四個鎵原子形成四面體配位。這種結(jié)構(gòu)使得碲化鎵具有特殊的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。碲化鎵是一種層狀半導體材料，其層與層之間的附著力較弱，因此可以通過機械剝離的方法制備出單層或多層的碲化鎵材料。

碲化鎵具有較高的載流子遷移率和較低的載流子散射率，這使得碲化鎵在高速電子器件中具有潛力。由于碲化鎵材料.的層狀結(jié)構(gòu)，可以通過摻雜或施加外部電場來改變其電子結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)光電調(diào)制和光電開關(guān)等功能。

制備方法

步驟一、采用垂直布里奇曼晶體生長法，將Ga:Te按物質(zhì)的量比1:1進行配料，制備GaTe單晶體。步驟二、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，選取大塊表面光滑無褶皺的GaTe體材料，并沿自然解理面將其分離為多塊。步驟三、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，使用思高膠帶從表層光亮、損傷較小的GaTe塊體材料表面撕離一塊厚度約為6-8μm的GaTe薄片。步驟四、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，將帶有GaTe薄片的思高膠帶多次粘合分離，直至膠帶表面不再光亮，成功附著較為密集的數(shù)百納米厚度的GaTe片層。

產(chǎn)品信息
[重量]	5g
[顏色]	黑色
危險性類別
[危險性類別]	非危險品