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    前面文章講述的晶體結(jié)構(gòu)都是理想結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)只在特殊條件下才能得到。實(shí)際晶體，大都存在結(jié)構(gòu)的缺陷，這些缺陷對(duì)晶體的一些物理性質(zhì)，如電性、磁性、光學(xué)性及機(jī)械性能等產(chǎn)生重要影響。晶體缺陷通常有點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。

    熱缺陷是較普遍的一種點(diǎn)缺陷。熱缺陷是由于晶體中原子或離子的熱運(yùn)動(dòng)造成的。熱缺陷的數(shù)量與溫度有關(guān)，溫度越高，造成缺陷的機(jī)會(huì)越多。晶體中熱缺陷有兩種形態(tài)：一種是肖脫基（Schootty）缺陷，另一種是弗侖克爾（Frenkel）缺陷。

肖脫基缺陷
    如圖4－38所示，靠近近表面層的陰、陽(yáng)離子由于熱運(yùn)動(dòng)跑到晶體表面或晶界位置上，形成一層新的界面，產(chǎn)生空位。然后，內(nèi)部鄰近的離子進(jìn)入這個(gè)空位，這樣逐步進(jìn)行而造成缺陷。
弗侖克爾缺陷
    如圖4－39所示，一種離子脫離平衡位置擠入晶體間隙位置，形成間隙離子，原來(lái)位置形成空位。這種缺陷的特點(diǎn)是間隙離子與空位成對(duì)出現(xiàn)。

    由于晶體缺陷引起格點(diǎn)發(fā)生畸變，使正常晶體結(jié)構(gòu)受到一定程度的破壞，從而導(dǎo)致晶體的某些性質(zhì)發(fā)生變化。例如，對(duì)于金屬晶體來(lái)說(shuō)，由于缺陷引起晶格畸變使電阻率增大，導(dǎo)電性能下降，而對(duì)于半導(dǎo)體材料而言，晶體的某些缺陷卻會(huì)增加半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。
    實(shí)踐中，我們經(jīng)常利用缺陷，使晶體具有某些特殊性質(zhì)。例如，摻雜常引起缺陷，向ZnS晶體中摻進(jìn)少量AgCl后，在電子射線激發(fā)下，可發(fā)射波長(zhǎng)為450nm的熒光，是彩色電視屏幕上的藍(lán)色熒光粉。
    此外，實(shí)際應(yīng)用的固體多是多晶體，它是由許多微小的單晶體組成，而這些單單晶體在堆砌時(shí)晶面常出現(xiàn)相互傾斜，不能實(shí)現(xiàn)格點(diǎn)嚴(yán)格的周期性排列，使得多晶體的結(jié)構(gòu)常偏離理想晶體。

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